第221章 顾院士 首页

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第221章 顾院士(3/4)

然有限。设计、制造、封装、设备和材料之间也缺少真正紧密的协同。”

苏清颜虽然听不懂其中一些名词,但却有了大概画面。

国内已经拥有很多拼图,只是这些拼图还没有组成一幅完整的画。

陈默问道:“如果继续跟着国外企业追先进制程,需要多久?”

“很难给出准确时间。”

顾绍庭轻轻摇头。

“芯片制造需要长期积累。买来设备、建好厂房,只代表拥有了入场资格。”

“工艺、良率、人才、供应链和客户,每一项都要用时间磨。”

“国家已经成立大基金,未来还会投入更多资源。这条路必须走,也一定要有人走。”

陈默点了点头。

“如果在继续追赶制程的同时,换一个方向提升芯片性能呢?”

顾绍庭眼神微动。

“什么方向?”

“向空间要性能。”

陈默用筷子蘸了一点汤汁,在自己面前的空盘上画出几个简单方块。

“将一颗大芯片拆成几个模块。”

“每个模块单独制造,再通过高密度键合进行组合。”

“第一阶段先做二维和2.5D封装,验证芯粒之间的协议、调度和散热。”

“等工艺成熟以后,再向真正的三维堆叠发展。”

顾绍庭没有露出惊讶。

“三维集成、TSV和硅中介层,国内外都有人研究。把几个研究方向放在一起,距离做成产品还很远。”

“我知道。”陈默继续说道,“所以需要先确定它解决什么问题。”

“成熟制程制造小芯粒,良率会比同面积的大芯片更容易控制。计算、存储和I/O可以使用不同制程,各自选择最合适的代工厂。”

“在人工智能、数据库和科学计算等并行任务中,只要解决互联、存储和散热,它的系统性能便不必完全受制于单颗晶体管的尺寸。”

顾绍庭眼里的随意逐渐淡了下去,目光直视陈默:“良率怎么算?一层芯片良率90%,五层堆在一起,综合合格率连60%都不到!封装后发现中间一层坏了,整颗几万元的芯片直接报废!”

“所以第一代不做晶圆级直接堆叠。”陈默对答如流,“先采用已知良好芯粒,配合通道降低单点失效,架构上预

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